I begyndelsen af det tyvende århundrede blev principperne for moderne videnskab og teknologi kontinuerligt brugt til at kontrollere krystalvækstprocessen, og krystalvækst begyndte at udvikle sig fra kunst til videnskab.Især siden 1950'erne har udviklingen af halvledermaterialer repræsenteret af enkeltkrystalsilicium fremmet udviklingen af krystalvækstteori og -teknologi.I de senere år har udviklingen af en række sammensatte halvledere og andre elektroniske materialer, optoelektroniske materialer, ikke-lineære optiske materialer, superledende materialer, ferroelektriske materialer og metalenkeltkrystalmaterialer ført til en række teoretiske problemer.Og der stilles flere og mere komplekse krav til krystalvækstteknologi.Forskningen i princippet og teknologien for krystalvækst er blevet stadig vigtigere og er blevet en vigtig gren af moderne videnskab og teknologi.
På nuværende tidspunkt har krystalvækst efterhånden dannet en række videnskabelige teorier, som bruges til at styre krystalvækstprocessen.Dette teoretiske system er dog endnu ikke perfekt, og der er stadig meget indhold, der afhænger af erfaring.Derfor anses kunstig krystalvækst generelt for at være en kombination af håndværk og videnskab.
Forberedelse af komplette krystaller kræver følgende betingelser:
1. Temperaturen af reaktionssystemet bør kontrolleres ensartet.For at forhindre lokal overafkøling eller overophedning vil det påvirke kernedannelsen og væksten af krystaller.
2. Krystallisationsprocessen bør være så langsom som muligt for at forhindre spontan kernedannelse.For når først spontan kernedannelse opstår, vil der dannes mange fine partikler og hindre krystalvækst.
3. Match afkølingshastigheden med krystalkernedannelsen og væksthastigheden.Krystallerne dyrkes ensartet, der er ingen koncentrationsgradient i krystallerne, og sammensætningen afviger ikke fra kemisk proportionalitet.
Krystalvækstmetoder kan klassificeres i fire kategorier i henhold til typen af deres moderfase, nemlig smeltevækst, opløsningsvækst, dampfasevækst og fastfasevækst.Disse fire typer af krystalvækstmetoder har udviklet sig til snesevis af krystalvækstteknikker med ændringer i kontrolbetingelser.
Generelt, hvis hele processen med krystalvækst er nedbrudt, bør den i det mindste omfatte følgende grundlæggende processer: opløsning af opløst stof, dannelse af krystalvækst enhed, transport af krystal vækstenhed i vækstmedium, krystalvækst Bevægelsen og kombinationen af element på krystaloverfladen og overgangen af krystalvækstgrænsefladen, for at realisere krystalvæksten.
Posttid: Dec-07-2022