Nd:YVO4 – Diode pumpede solid-state lasere Udvalgt billede

Nd:YVO4 – Diodepumpede faststoflasere

Kort beskrivelse:

Nd:YVO4 er en af de mest effektive laserværtskrystaller, der i øjeblikket findes til diodelaserpumpede solid-state lasere. Nd:YVO4 er en fremragende krystal til højeffekt, stabile og omkostningseffektive diodepumpede solid-state lasere.

Spørg nu Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Produktbeskrivelse

Nd:YVO4 kan producere kraftfulde og stabile IR, grønne, blå lasere med designet af Nd:YVO4 og frekvensfordoblingskrystaller. Til de applikationer, hvor der er behov for mere kompakt design og output i enkelt-langsgående tilstand, viser Nd:YVO4 sine særlige fordele i forhold til andre almindeligt anvendte laserkrystaller.

Fordele ved Nd:YVO4

● Lav lasertærskel og høj hældningseffektivitet
● Stort stimuleret emissionstværsnit ved laserbølgelængde
● Høj absorption over en bred pumpebølgelængdebåndbredde
● Optisk enakset og stor dobbeltbrydning udsender polariseret laser
● Lav afhængighed af pumpebølgelængde og tendens til single mode output

Grundlæggende egenskaber

Atomartæthed	~1,37x1020 atomer/cm2
Krystal struktur	Zircon Tetragonal, rumgruppe D4h, a=b=7,118, c=6,293
Tæthed	4,22 g/cm2
Mohs hårdhed	Glaslignende, 4,6 ~ 5
Termisk udvidelse Koefficient	αa=4,43x10-6/K, αc=11,37x10-6/K
Smeltepunkt	1810 ± 25 ℃
Lasende bølgelængder	914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Termisk optisk Koefficient	dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Stimuleret emission Tværsnit	25,0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluorescerende Livstid	90 ms (ca. 50 ms for 2 atm% Nd-doteret) @ 808 nm
Absorptionskoefficient	31,4 cm-1 ved 808 nm
Absorptionslængde	0,32 mm @ 808 nm
Indre tab	Mindre 0,1 % cm-1, @1064 nm
Få båndbredde	0,96 nm (257 GHz) ved 1064 nm
Polariseret laser Emission	parallel med optisk akse (c-akse)
Diode pumpet Optisk til optisk Effektivitet	> 60 %
Sellmeier-ligning (for rene YVO4-krystaller)	no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 - 0,04724) -0,0108133λ2
	no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) -0,0122676λ2

Tekniske parametre

Nd dopantkoncentration	0,2 ~ 3 atm%
Dopant tolerance	inden for 10 % af koncentrationen
Længde	0,02 ~ 20 mm
Belægningsspecifikation	AR @ 1064nm, R< 0,1 % & HT @ 808 nm, T>95 %
	HR @ 1064nm, R>99,8 % & HT@ 808 nm, T>9 %
	HR @ 1064nm, R>99,8 %, HR @ 532 nm, R>99 % & HT @ 808 nm, T>95 %
Orientering	a-cut krystallinsk retning (+/-5 ℃)
Dimensionel tolerance	+/-0,1 mm (typisk), Høj præcision +/-0,005 mm kan fås efter anmodning.
Bølgefrontforvrængning	<λ/8 ved 633 nm
Overfladekvalitet	Bedre end 20/10 Scratch/Dig pr. MIL-O-1380A
Parallelisme	< 10 buesekunder