Krystalbinding – Kompositteknologi af laserkrystaller

Kort beskrivelse:

Krystalbinding er en sammensat teknologi af laserkrystaller. Da de fleste optiske krystaller har et højt smeltepunkt, kræves der normalt højtemperaturvarmebehandling for at fremme den gensidige diffusion og fusion af molekyler på overfladen af to krystaller, der har gennemgået præcis optisk bearbejdning, og endelig danne en mere stabil kemisk binding for at opnå en reel kombination, så krystalbindingsteknologien også kaldes diffusionsbindingsteknologi (eller termisk bindingsteknologi).

Forespørgsel nu Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produktmærker

Produktbeskrivelse

Betydningen af anvendelsen af bindingsteknologi på laserkrystaller ligger i: 1. Miniaturisering og integration af laserenheder/systemer, såsom Nd:YAG/Cr:YAG-binding til produktion af passive Q-switchede mikrochiplasere; 2. Forbedring af laserstavenes termiske stabilitet. Ydeevne, såsom YAG/Nd:YAG/YAG (dvs. bundet med ren YAG for at danne den såkaldte "endekappe" i begge ender af laserstangen), kan reducere temperaturstigningen på Nd:YAG-stangens endeflade betydeligt, når den er i drift, primært brugt til halvlederpumpning af faststoflasere og faststoflasere, der kræver høj effekt.
Vores virksomheds nuværende primære YAG-serie af bundne krystalprodukter omfatter: Nd:YAG- og Cr4+:YAG-bundne stænger, Nd:YAG bundet med ren YAG i begge ender, Yb:YAG- og Cr4+:YAG-bundne stænger osv.; diametre fra Φ3 ~ 15 mm, længde (tykkelse) fra 0,5 ~ 120 mm, kan også forarbejdes til firkantede strimler eller firkantede ark.
Bonded crystal er et produkt, der kombinerer en laserkrystal med et eller to rene, ikke-dopede, homogene substratmaterialer gennem bindingsteknologi for at opnå en stabil kombination. Eksperimenter viser, at bindingskrystaller effektivt kan reducere temperaturen på laserkrystaller og reducere påvirkningen af den termiske linseeffekt forårsaget af deformation af endefladen.

Funktioner

● Reduceret termisk linsedannelse forårsaget af deformation af endefladen
● Forbedret lys-til-lys-konverteringseffektivitet
● Øget modstandsdygtighed over for fotoskader
● Forbedret laserstrålekvalitet
● Reduceret størrelse

Fladhed	<λ/10@632.8nm
Overfladekvalitet	10/5
Parallelisme	<10 buesekunder
Vertikalitet	<5 bueminutter
Affasning	0,1 mm ved 45°
Belægningslag	AR- eller HR-belægning
Optisk kvalitet	Interferensfrynser: ≤ 0,125/tomme Interferensfrynser: ≤ 0,125/tomme