Krystalbinding – sammensat teknologi af laserkrystaller

Kort beskrivelse:

Krystalbinding er en sammensat teknologi af laserkrystaller. Da de fleste optiske krystaller har et højt smeltepunkt, kræves der normalt varmebehandling ved høj temperatur for at fremme den gensidige diffusion og fusion af molekyler på overfladen af to krystaller, der har gennemgået præcis optisk behandling og til sidst danner en mere stabil kemisk binding. , for at opnå en rigtig kombination, så krystalbindingsteknologien kaldes også diffusionsbindingsteknologi (eller termisk bindingsteknologi).

Spørg nu Send e-mail til os

Produktdetaljer

Produkt Tags

Produktbeskrivelse

Betydningen af anvendelsen af bindingsteknologi på laserkrystaller ligger i: 1.Miniaturisering og integration af laserenheder/systemer, såsom Nd:YAG/Cr:YAG-binding til produktion af passive Q-switchede mikrochiplasere; 2. Forbedring af den termiske stabilitet af laserstave Ydelse, såsom YAG/Nd:YAG/YAG (det vil sige bundet med ren YAG for at danne den såkaldte "endekappe" i begge ender af laserstangen) kan reducere temperaturstigning på endefladen af Nd:YAG-stangen, når den arbejder, hovedsagelig brugt til halvlederpumpning Solid-state-lasere og solid-state-lasere, der kræver drift med høj effekt.
Vores virksomheds nuværende primære YAG-serie bundne krystalprodukter omfatter: Nd:YAG og Cr4+:YAG bundne stænger, Nd:YAG bundet med ren YAG i begge ender, Yb:YAG og Cr4+:YAG bundne stænger osv.; diametre fra Φ3 ~15mm, længde (tykkelse) fra 0,5~120mm, kan også forarbejdes til firkantede strimler eller firkantede ark.
Bonded crystal er et produkt, der kombinerer en laserkrystal med et eller to rene ikke-doterede homogene substratmaterialer gennem bindingsteknologi for at opnå en stabil kombination. Eksperimenter viser, at bindingskrystaller effektivt kan reducere temperaturen af laserkrystaller og reducere indflydelsen af termisk linseeffekt forårsaget af endefladedeformation.

Funktioner

● Reduceret termisk linsedannelse forårsaget af endefladedeformation
● Forbedret lys-til-lys konverteringseffektivitet
● Øget modstandsdygtighed over for fotoskadetærskel
● Forbedret laserudgangsstrålekvalitet
● Reduceret størrelse

Fladhed	<λ/10@632.8nm
Overfladekvalitet	10/5
Parallelisme	<10 buesekunder
Lodrethed	<5 bueminutter
Chamfer	0,1 mm@45°
Belægningslag	AR eller HR belægning
Optisk kvalitet	Interferenskanter: ≤ 0,125/inch Interferenskanter: ≤ 0,125/inch